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Si1071X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
8
V GS = 10 V thr u 4 V
2.0
6
1.6
T C = 25 °C
V GS = 3 V
1.2
4
0. 8
T C = 125 °C
2
0
V GS = 2 V
V GS = 1 V
0.4
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.35
0.30
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
600
500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics Curves vs. Temp.
0.25
400
0.20
0.15
V GS = 4.5 V
300
C iss
0.10
V GS = 10 V
200
0.05
0.00
100
0
C rss
C oss
0
3
6
9
12
15
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 10 V , I D = 0.96 A
8
I D = 0.96 A
1.4
V GS = 4.5 V , I D = 0.91 A
V DS = 15 V
6
1.2
V GS = 2.5 V
I D = 0.79 A
V DS = 24 V
4
2
0
1.0
0. 8
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74321
S10-2542-Rev. C, 08-Nov-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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